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  • 03
    2024-10

    微软将为 ARM 芯片加入 64-bit 支持

    搭载高通 Snapdragon 平台的 Windows 笔记本虽然在连网方面有其优势,不过同时也有着没有支持 64-bit 应用程序的致命缺点。虽然微软大派定心丸,在多个场合中表示他们终究会给这 ARM 架构平台加入 64-bit app 的支持,但实际的时程,也是来到今天才有消息啊。微软的 Windows 部门总经理 Erin Chappie 向我们透露他们将会在快将开始的 Build 开发者大会上发布 ARM 64 适用的 SDK。有了新的 SDK,开发者就能让他们的 app 于 ARM

  • 02
    2024-10

    Murata品牌GRM1885C1H103JA01D贴片陶瓷电容CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 0603的技术和方案应用介绍

    Murata品牌GRM1885C1H103JA01D贴片陶瓷电容CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 0603的技术和方案应用介绍

    标题:Murata品牌GRM1885C1H103JA01D贴片陶瓷电容CAP CER 10000PF 50V C0G/NP0 0603的技术与应用介绍 Murata品牌的GRM1885C1H103JA01D贴片陶瓷电容,是一种在电子设备中广泛应用的高品质陶瓷电容。它具有一系列独特的技术和方案应用,尤其在小型化、高稳定性和高可靠性方面表现出色。 首先,关于技术方面,GRM1885C1H103JA01D采用了Murata的C0G/NP0技术。这种技术提供了出色的电气性能和稳定性,确保了电容的高品质

  • 02
    2024-10

    AMD Zen 5架构设计预计2021年后问世,或采用5nm工艺

    虽然目前AMD对外公布近程处理器架构发展蓝图仅到预计2020年推出的Zen 3设计,并且确定将以优化后的7nm制程量产,但从稍早对外公布YouTube影片中,AMD资深设计工程师暨Zen首席架构师Mike Clark则透露已经着手投入Zen 5架构设计。 根据先前市场猜测,若将今年即将对外公布12nm制程设计的Zen+架构视为第二代产品,同时考量中国市场对于数字“4”的忌讳,可能不会推出Zen 4架构设计的话,此次AMD透露的Zen 5架构,将会是Zen系列架构第5款设计,预计将以更小制程技术

  • 01
    2024-10

    电容通交流等效理解方法

    电容通交流等效理解方法在分析电容交流电路时,采用充电和放电的分析方法是十分复杂的,且不容易理解,所以要采用等效分析方法,这种分析方法很简单,电路分析中大量采用,必须牢牢掌握。 电容器C1两极板之间绝缘,交流电流不能直接通过两极板构成回路,只是由于交流电流的充电方向不断改变,电路中才有持续的交流电流流过,等效成C1能够让交流电流通过。 实际上交流电流并不是从两极板之间直接通过,电路分析中为了方便起见,将电容器看成是一个能够直接通过交流电流的元件,如图1-28所示。 图1-28 电容通交流等效理解

  • 30
    2024-09

    外媒:中兴遭封杀 美国公司日子也不好过

    据外媒报道,美国政府上周针对中兴颁布的禁令让许多美国公司的日子不好过,因为他们将损失很大一部分营收。 美国商务部上周一宣布,由于中兴违反与美国政府去年达成的和解协议,将对中兴执行为期7年的出口禁令。该期间内,美国公司将不得向中兴出售其产品。 受此影响,中兴在美国的多家供应商的股价纷纷下滑,如高通和光纤通信零部件供应商Acacia Communications。 据科技咨询服务公司International Business Strategies CEO汉德尔·琼斯(Handel Jones)预

  • 29
    2024-09

    Q2中低端智能手机、车用电子及物联网市场成IC公司拉货重点

    时序进入电子业“五穷六绝”传统淡季,科技业上游台积电首季法说会揭示苹果iPhone需求疲弱及虚拟货币接单不确定性,苹概族群第2季业绩恐难有好表现,而虚拟货币亦在比特币出现暴跌,未来不确定性因素增加,相关虚拟货币族群随着比特币行情熄火。相反的,中低端智能手机、车用电子、物联网等稳定成长,逐渐取而代之成为第2季营运新亮点。 经过前二季库存去化,第2季中国智能手机需求复甦,尤以中低端机型力道最为强劲,中国前三大手机品牌华为、OPPO、vivo纷纷推出新机抢攻市场换机商机,对于台厂而言,受惠最大莫过于

  • 28
    2024-09

    Taiyo Yuden品牌UMK212BJ105KG-T贴片陶瓷电容CAP CER 1UF 50V X5R 0805的技术和方案应用介绍

    Taiyo Yuden品牌UMK212BJ105KG-T贴片陶瓷电容CAP CER 1UF 50V X5R 0805的技术和方案应用介绍

    标题:Taiyo Yuden UMK212BJ105KG-T贴片陶瓷电容CAP CER 1UF 50V X5R 0805的技术与应用介绍 在电子设备中,电容是一种必不可少的元件,它负责储存和释放电能。Taiyo Yuden品牌的UMK212BJ105KG-T贴片陶瓷电容是一种广泛应用于各种电子设备中的关键元件。本文将介绍UMK212BJ105KG-T的性能特点、技术应用及解决方案。 首先,UMK212BJ105KG-T是一款贴片陶瓷电容,采用陶瓷作为介质,外层为金属封装。其容量为1UF,工作电

  • 28
    2024-09

    全球AI芯片公司排行:华为排12成中国大陆最强

    5月3日消息 Compass Intelligence近日发布的AI芯片厂商排名数据显示:前三名被英伟达、英特尔和恩智浦占据,之后依次是IBM、AMD、谷歌、ARM、苹果、高通、博通、三星电子、华为、Imagination、Synopsys和联发科,华为排第12名,成中国大陆地区最强芯片厂商。 过去三年,各大公司藉由收购AI及AI新创企业,已经总共在研发、投资AI领域超过600亿美元。目前,AI新创公司就有约1700家,业界对于AI芯片组需求正逐渐扩大。 AI芯片组(chipsets)定义:包

  • 27
    2024-09

    Samsung品牌CL05X106MR5NUNC贴片陶瓷电容CAP CER 10UF 4V X6S 0402的技术和方案应用介绍

    Samsung品牌CL05X106MR5NUNC贴片陶瓷电容CAP CER 10UF 4V X6S 0402的技术和方案应用介绍

    标题:三星CL05X106MR5NUNC贴片陶瓷电容CAP CER 10UF 4V X6S 0402的技术与应用介绍 一、技术概述 三星品牌的CL05X106MR5NUNC贴片陶瓷电容,型号为CAP CER 10UF 4V X6S,采用0402封装,具有出色的性能和稳定性。陶瓷电容器是一种采用陶瓷材料作为介质的电容器,具有高稳定性和低热稳定的特性。而0402封装的陶瓷电容器,尺寸较小,适用于高密度组装和微型化设计。 二、工作原理 这种电容器的原理是利用陶瓷材料的电导特性,在直流或交流条件下,通

  • 27
    2024-09

    热导式气体传感器的工作原理

    导热气敏材料根据不同可燃性气体与空气导热系数的差异来测量气体浓度。通常导热系数的差异通过电路转化为电阻的变化,传统的检测方法是将待测气体送入气室,气室的中心是热敏元件,如热敏电阻、铂丝或钨丝,加热到一定温度。 当待检测气体的热导率高时,热量将更容易从热敏元件中消散,并且其电阻将减小。改变的电阻将通过信号调节和转换电路(一种可以将传感元件输出的电信号转换成便于显示、记录和控制的有用信号的电路),在那里它被惠斯通电桥转换成不平衡。 热导式气体传感器是一种电子式气体传感器,是一种能够感知环境中某种气

  • 26
    2024-09

    KEMET品牌C0603X104K5RAC7867贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603的技术和方案应用介绍

    KEMET品牌C0603X104K5RAC7867贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603的技术和方案应用介绍

    标题:KEMET C0603X104K5RAC7867贴片陶瓷电容CAP CER 0.1UF 50V X7R 0603的应用及技术解读 在电子元器件领域,KEMET的C0603X104K5RAC7867贴片陶瓷电容以其出色的性能和稳定性,成为众多应用场景的理想选择。本文将围绕这款电容的特性、技术方案及应用领域进行详细介绍。 一、产品特性 C0603X104K5RAC7867贴片陶瓷电容,采用KEMET独特的陶瓷技术,具有高介电常数、低电导率以及良好的绝缘性能。其电容值可达到0.1微法,耐压达到

  • 26
    2024-09

    高通服务器芯片负责人离职:ARM难挑战Intel x86霸权

    高通服务器芯片负责人离职:ARM难挑战Intel x86霸权

    上周,彭博社援引知情人消息称,高通准备放弃开发面向数据中心的企业级服务器芯片。 来自Axios的最新报道称,高通服务器芯片负责人Anand Chandrasekher已经从公司离职,虽然高通拒绝置评,但Anand的走人无形中证实了高通对服务器业务的调整非假。 目前,高通服务器芯片的的主打是Centriq 2400家族,系列含三款,最小40核,最大48核。Centriq 2400基于三星10nm工艺打造,采用ARM v8架构的自研Falkor CPU核心,最高设计为60MB三缓,旗舰2460单片