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mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;过压
标题:IXYS艾赛斯IXGH60N60C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXGH60N60C3D1功率半导体IGBT是一款高效、可靠的600V 75A 380W的功率半导体器件。这款器件以其出色的性能和广泛的应用领域,在电力电子系统中发挥着重要的作用。 首先,我们来了解一下这款IGBT的基本技术原理。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种复合型电力电子器件,具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点。IXGH60N60C3D
标题:Infineon(IR) IKZA50N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA50N120CH7XKSA1功率半导体器件,以其卓越的性能和可靠性,成为了工业14领域中的重要一员。 IKZA50N120CH7XKSA1是一款高性能的N-MOS晶体管,具有高耐压、大电流、高开关速度等特点。它适用于各种工业应用场景,如马达驱动、电源转换、开关电源等。此外,该器件
标题:IXYS艾赛斯IXBT6N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBT6N170功率半导体IGBT是一种重要的功率电子元件,其技术特点和方案应用在许多领域中都发挥了重要的作用。 首先,IXBT6N170采用了IXYS公司独特的IXBT结构,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该器件的额定电压为1700V,电流容量为12A,功耗为75W,这使得它在高电压和大电流的应用场景中具有显著的优势。 在技术方面,IXBT6N170采用了先进的表面处理技术和合金技术,以提高其可靠
标题:Infineon(IR) IKZA40N120CS7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA40N120CS7XKSA1功率半导体器件,以其卓越的性能和可靠性,成为了工业14领域中的重要一员。 IKZA40N120CS7XKSA1是一款高性能的功率MOSFET,其工作频率高,开关速度快,且具有较高的输入阻抗,使得其在各种严酷的工作环境下仍能保持良好的性能。这款器件采用了
标题:IXYS艾赛斯IXYA20N120A4HV功率半导体DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2的应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYA20N120A4HV功率半导体DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2作为一种关键的功率电子元件,在许多现代设备中发挥着不可或缺的作用。本文将深入探讨IXYS艾赛斯IXYA20N120A4HV功率半导体的技术特点和应用方案。 IXYS艾赛斯IXYA20N120A4HV
标题:Infineon(IR) IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体:技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在工业、交通、能源等领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体,以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了业界的焦点。本文将深入探讨Infineon(IR)IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体的技术特点和方案应用。 首先,让我们关注IKZA75N65EH7XKSA1的技术特点。这款功率半导体采用了先进的沟槽N-MOS技
标题:IXYS艾赛斯IXGH48N60B3D1功率半导体IGBT 600V 300W TO247的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业、交通、通信和家电等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXGH48N60B3D1功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件,在各种应用中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍IXGH48N60B3D1的特性和应用方案。 首先,我们来了解一下IXGH48N60B3D1的基本参数。这款IGBT的额定电压为600V,最大输出功率为300W。
标题:Infineon(IR) IKZA40N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。作为全球领先的半导体公司之一,Infineon(IR)公司推出的IKZA40N120CH7XKSA1功率半导体器件,以其卓越的性能和稳定性,受到了广大用户的青睐。 IKZA40N120CH7XKSA1是一款高性能的功率MOSFET器件,其工作电压范围广,能够在-40至175摄氏度的温度范围内保持良好的性能。此外,
标题:IXYS艾赛斯IXA17IF1200HJ功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXA17IF1200HJ功率半导体IGBT,作为一种重要的功率半导体器件,在许多领域中发挥着不可或缺的作用。本文将围绕IXA17IF1200HJ的特性和应用进行介绍。 首先,IXA17IF1200HJ是一款具有高耐压、大电流、低损耗等特点的IGBT。其工作电压达到1200V,最大电流达到28A,最大功率达到100W。其封装形式