FDG6301N复合场效应管 双N沟道 双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。 特性 25 V、0.22 A（连续值）、0.65 A（峰值）。 RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V， RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(

FDC5614P是60V P通道逻辑电平电源沟道MOSFET，这款60V的P沟道MOS采用飞兆半导体的高电压电源沟道工艺。它已经被优化为电源管理应用程序。 应用 #8226;DC-DC转换器 •负载开关 •电源管理 特征 •–3 A，–60 V.rds（开）=0.105Ω@vgs=–10 V rds（开）=0.135Ω@vgs=–4.5 V •快速切换速度 •高性能沟槽技术 低RDS（on） •快速切换 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SS

FDS6900AS设计用于替代同步DC:DC电源中的两个单通道SO-8MOSFET和肖特基二极管，为笔记本电脑和其他电池供电电子器件提供各种外设电压。 FDS6900AS包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高功率转换效率。 高端开关(Q1)的设计特别强调降低开关损耗，而低端开关(Q2)则强调降低导通损耗。 Q2还包含使用飞兆的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 产品详情 PowerTrench#174;SyncFET#8482;